立式管式爐的*設計能夠實現在真空或氣氛保護條件下對樣品快速升降溫，四面加熱，溫場更均勻，立式結構使得氣體排放更加順暢，爐體垂直安裝在可移動支架上有利于爐管取放溫度的均勻性，可以預抽真空并能通氫氣、氬氣、氮氣、氧氣、一氧化碳、氨分解氣等氣體，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點，特別適合薄膜生長、電極測試、氧化物晶體生長、快速退火等實驗需要！
 

　　設備采用鋼板精工制作而成，表面采用靜電噴涂，外形美觀。工作室為剛玉管，加熱元件根據溫度需要配套(硅碳棒或硅鉬棒)，保溫材料采用輕質保溫保溫加的硅酸鋁耐火纖維棉，與電爐配套的溫控部分采用PID可調智能儀表控制，可編制多個程序段，控制產品的燒制過程，并具有過流、限流、過熱等保護功能。
 

　　主要應用于院校實驗室、工礦企業實驗室，應用于高、中、低溫CVD工藝，如碳納米管的研制，晶體硅基板鍍膜，金屬材料擴散焊接以及真空或氣氛下的熱處理等。
 

　　該設備使用必須按照操作規范進行的同時，還應注意以下幾點：

　　1、檢查氣路是否暢通或漏氣。先將管路連接無誤后通氧氣，氧氣進入吸收瓶后產生正常氣泡，表明氣路正常，否則說明氣路有堵塞或瓷管有斷裂，應處理正常。

　　2、開啟電源，開啟控制器，先預置立式高溫管式爐的工作溫度為1250℃，然后調整電壓為60Ⅴ，升溫半小時，然后調整電壓至100Ⅴ，再升溫半小時，zui后調整電壓至150Ⅴ，升溫至溫度指示在1250℃。如不按照逐漸提高電壓并保證足夠時長的方式升溫，硅碳棒和瓷管受到急熱作用而容易斷裂，因而須嚴格按本規程操作，以免造成大量材料浪費。

　　3、在工作溫度保持在1250℃左右時即可進入樣品分析；分析結束后調整電壓歸為零位，關閉控制器開關，關閉電源，zui后關閉氧氣儀表閥門和氣瓶總閥。